学术动态
【预告】中国科学技术大学乔振华教授应邀来我校作学术报告

报告题目:Recent Progress on Exploring Quantum Anomalous Hall Effect and Gate-Controlled Topological 1D Mode

报告时间: 2016年10月26日上午8:30

报告地点: 实验楼四层大报告厅

报告摘要:
In this talk, I will introduce the two parts of our recent work on two-dimensional topological phases. (1) The charge-compensated n-p codoping scheme is adopted to induce high-temperature quantum anomalous Hall effect in both magnetic topological insulators and graphene, with a sizable surface band gap and higher ferromagnetic Curie temperature. (2) The spin-flip disorder can lead to anomalous Anderson localization. (3) The spatially varying electric field can result in a valley-helical topologically confined 1D modes. Here, we report the first experimental realization of this mode in an AB-stacking bilayer graphene. We also show the transport properties of these topologically confined modes in the presence of disorders and magnetic field.

报告人简介:

   乔振华,中国科学技术大学教授、博士生导师,男,1983年生。2006年在山西大学物理系获学士学位,2009年在香港大学获得博士学位。2009年9月到2013年8月在美国德州大学奥斯汀分校从事博士后研究,现为中国科学技术大学物理系教授,2013年中科院“百人计划”获得者;2014年中组部青年千人计划获得者,美国物理学会会员,同时也是《物理评论快报》(Phys. Rev. Lett.)、《纳米快报》(Nano Lett.)等多个杂志的审稿人。
   研究领域为凝聚态物理,对低维介观体系量子输运以及拓扑材料物性开展了系统的研究,近些年在石墨烯、拓扑绝缘体等领域做出了一系列有国际影响力的工作。已在包括Nature子刊(3篇)、Phys. Rev. Lett. (10篇)、Nano Letters (2篇)等国际学术期刊上发表SCIE论文39篇,被SCIE引用1100余次(Web of Knowledge 03/11/2016)。